你了解集成电路制造吗?合肥猎头公司告诉你,对单晶裸片进行初步加工得到晶圆,接下来将光罩上的电路图刻蚀到晶圆上,主要工序皆由晶圆代工厂完成。主要包括扩散、薄膜生长、光刻、刻蚀、离子注入、抛光等工序,对应设备主要有扩散炉、氧化炉、CVD/PVD设备、清洗设备、光刻机、刻蚀系统、离子注入机、抛光机等。作为半导体生产流程的直接生产,晶圆加工步骤众多,设备要求极高,虽然国内具备完整生产能力,受限于高端设备和技术封锁,高端产品仍未突破,其中光刻、离子注入和抛光(抛光垫)等工艺设备国内尚未突破。
根据摩尔定律,约18月集成电路晶体管数量将增加一倍,技术持续发展下集成电路线宽不断缩小,集成电路的设备投资呈指数级上升趋势。根据IBS统计,5nm产线的设备投资高达数百亿美元,是16/14nm产线投资的两倍以上,是28nm的四倍左右。目前三星已正式宣布3nm工艺量产,台积电预计2022年下半年呈现量产,随着技术持续靠近硅基物理极限,未来技术方向或是“双层堆叠”等。集成电路制造
对单晶裸片进行初步加工得到晶圆,接下来将光罩上的电路图刻蚀到晶圆上,主要工序皆由晶圆代工厂完成。主要包括扩散、薄膜生长、光刻、刻蚀、离子注入、抛光等工序,对应设备主要有扩散炉、氧化炉、CVD/PVD设备、清洗设备、光刻机、刻蚀系统、离子注入机、抛光机等。作为半导体生产流程的直接生产,晶圆加工步骤众多,设备要求极高,虽然国内具备完整生产能力,受限于高端设备和技术封锁,高端产品仍未突破,其中光刻、离子注入和抛光(抛光垫)等工艺设备国内尚未突破。
根据摩尔定律,约18月集成电路晶体管数量将增加一倍,技术持续发展下集成电路线宽不断缩小,集成电路的设备投资呈指数级上升趋势。根据IBS统计,5nm产线的设备投资高达数百亿美元,是16/14nm产线投资的两倍以上,是28nm的四倍左右。目前三星已正式宣布3nm工艺量产,台积电预计2022年下半年呈现量产,随着技术持续靠近硅基物理极限,未来技术方向或是“双层堆叠”等。
早期我国纯晶圆代工占比全球市场份额达10%以上,随着国内技术停滞叠加全球晶圆制程技术难度持续加深,2007-2014年我国纯晶圆代工市场份额持续下降,随着国内中芯国际和联电企业技术相继突破28制程,整体市场份额趋向稳定,近年来下游需求推动国内纯晶圆代工产能稳步上升,但受限于尖端代工技术差距,同时中芯国际被美国列入实体名单,国内尖端晶圆代工差距中短期内增长有限。
技术持续发展背景下,晶圆制程持续发展,截止2022年7月底三星已宣布量产3nm工艺,国内晶圆产业起步较晚,受限于设备及材料等相关因素影响叠加技术封锁,我国晶圆代工目前仍仅可量产14nm制程晶圆,相较国际先进水平相差较大。
在尖端制程领域,技术持续迭代后,逐步形成台积电(Foundry模式)和三星(IDM模式)垄断技术情况,根据2021年台积电数据显示,其5nm制程份额占比其产品19%,国内而言,中美贸易持续紧张下国产企业中芯国际虽有竞争先进制程的需求,但受限于美国实体名单,无法获取EUV光刻机,先进制程无法突破,虽然目前凭借成熟制程需求持续扩张占比全球第五,但先进制程仍是中国芯片崛起的关键。
目前中国大陆上集成电路晶圆代工企业中,中芯国际和华虹半导体产品最为目前中芯国际技术产品包括0.35微米到14纳米不同技术节点的晶圆代工产品,实际生产应用上受限于良品等多因素,14nm和28nm制程占比15.1%左右,同时虽然中芯国际具备14nm量产水平,但高端材料及设备严重依赖进口,如光刻机等严重依赖阿斯麦DUV,完全国产化任重道远;华虹半导体整体发展较晚,目前产品中最先进制程55/65nm占比9.7%,差距较大。
早期我国纯晶圆代工占比全球市场份额达10%以上,随着国内技术停滞叠加全球晶圆制程技术难度持续加深,2007-2014年我国纯晶圆代工市场份额持续下降,随着国内中芯国际和联电企业技术相继突破28制程,整体市场份额趋向稳定,近年来下游需求推动国内纯晶圆代工产能稳步上升,但受限于尖端代工技术差距,同时中芯国际被美国列入实体名单,国内尖端晶圆代工差距中短期内增长有限。
技术持续发展背景下,晶圆制程持续发展,截止2022年7月底三星已宣布量产3nm工艺,国内晶圆产业起步较晚,受限于设备及材料等相关因素影响叠加技术封锁,我国晶圆代工目前仍仅可量产14nm制程晶圆,相较国际先进水平相差较大。
在尖端制程领域,技术持续迭代后,逐步形成台积电(Foundry模式)和三星(IDM模式)垄断技术情况,根据2021年台积电数据显示,其5nm制程份额占比其产品19%,国内而言,中美贸易持续紧张下国产企业中芯国际虽有竞争先进制程的需求,但受限于美国实体名单,无法获取EUV光刻机,先进制程无法突破,虽然目前凭借成熟制程需求持续扩张占比全球第五,但先进制程仍是中国芯片崛起的关键。
目前中国大陆上集成电路晶圆代工企业中,中芯国际和华虹半导体产品最为目前中芯国际技术产品包括0.35微米到14纳米不同技术节点的晶圆代工产品,实际生产应用上受限于良品等多因素,14nm和28nm制程占比15.1%左右,同时虽然中芯国际具备14nm量产水平,但高端材料及设备严重依赖进口,如光刻机等严重依赖阿斯麦DUV,完全国产化任重道远;华虹半导体整体发展较晚,目前产品中最先进制程55/65nm占比9.7%,差距较大。
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